EFST
10.2编程/擦除操作
F49L040A
表10 。
WE
控制编程/擦除操作（T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 3.0V~3.6V)
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OES
t
GHWL
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
t
WHWH1
t
WHWH2
t
VCS
描述
写周期时间（注1 ）
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
输出使能设置时间
阅读恢复时间之前，
写（
OE
高
WE
l
OW ）
CE
建立时间
CE
保持时间
-70
分钟。
70
0
45
35
0
0
0
0
0
35
30
9(typ.)
0.7(typ.)
50
马克斯。
-90
分钟。
90
0
45
35
0
0
0
0
0
35
30
9(typ.)
0.7(typ.)
50
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
美国证券交易委员会
us
把脉冲宽度
写脉冲宽高
编程操作（注2 ）
（字节编程时间）
扇区擦除操作（注2 ）
V
CC
建立时间（注1 ）
注意事项：
1.不100 ％测试。
2.请参阅"Erase和编程Performance"节以获取更多信息。
精英闪存存储技术公司
出版日期： 2005年4月
修订： 1.0
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