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ESH2B ， ESH2C & ESH2D

威世通用半导体

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大正向电压

(1)

最大DC反向电流在额定DC

阻断电压

最大反向恢复时间

典型的反向恢复时间

典型的存储电荷

典型结电容

I

F

= 2 A

T

A

= 25 °C

T

A

= 125 °C

I

F

= 0.5 A，I

R

= 1 A，I

rr

= 0.25 A

I

F

= 2 A，V

R

= 30 V,

的di / dt = 50A / μs的，我

rr

= 10 % I

RM

I

F

= 2 A，V

R

= 30 V,

的di / dt = 50A / μs的，我

rr

= 10 % I

RM

4.0 V， 1 MHz的

T

J

= 25 °C

T

J

= 100 °C

T

J

= 25 °C

T

J

= 100 °C

测试条件

符号

V

F

I

R

t

rr

t

rr

Q

rr

C

J

价值

0.93

2.0

50

25

35

55

20

35

30

单位

V

A

ns

ns

nC

pF

注意：

（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

典型热阻

(1)

符号

R

θJA

R

θJL

ESH2B

ESH2C

65

20

ESH2D

单位

° C / W

注意：

安装在P.C.B. （ 1）单位用8.0× 8.0毫米土地面积。

订购信息

（例）

首选的P / N

ESH2D-E3/52T

ESH2D-E3/5BT

ESH2DHE3/52T

(1)

ESH2DHE3/5BT

(1)

单位重量（g ）

0.096

0.096

0.096

0.096

首选包装代码

52T

5BT

52T

5BT

基地数量

750

3200

750

3200

配送方式

直径7"塑料带和卷轴

直径13"塑料带和卷轴

直径7"塑料带和卷轴

直径13"塑料带和卷轴

注意：

（ 1 ）汽车级AEC Q101标准

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

2.5

60

正向平均整流电流（ A）

峰值正向浪涌电流（ A）

0

25

50

75

100

125

150

175

2.0

50

40

1.5

30

1.0

20

0.5

10

0

0

1

10

100

铅温度（ ℃）

数

环，在60赫兹的

图1.最大正向电流降额曲线

图2.最大非重复峰值正向浪涌电流

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2

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文档编号： 84649

修订： 27 - 8 - 07