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初步数据表

+ 25.0dBm典型输出功率

10.0分贝典型功率增益为12 GHz

0.3× 720 MICRON嵌“蘑菇”门

Si

3

N

4

钝化

先进的外延掺杂分布

可提供高功率效率，

线性度和可靠性

IDSS排序15毫安PER BIN范围

EFA072A

低失真功率的GaAs FET

电气特性（T

a

= 25

O

C)

符号

P

1dB

G

1dB

PAE

IDSS

Gm

Vp

BVgd

BVgs

RTH

参数/测试条件

在1dB压缩输出功率

f=12GHz

VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss

f=18GHz

增益1dB压缩

f=12GHz

VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss

f=18GHz

在1dB压缩功率附加效率

VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss

f=12GHz

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

VDS = 3V ， VGS = 0V

VDS = 3V ， VGS = 0V

VDS = 3V ，IDS = 2.0毫安

芯片厚度： 75

±

13微米

以微米所有尺寸

民

22.5

8.0

典型值

25.0

25.0

10.0

7.5

32

最大

单位

DBM

dB

%

120

80

190

110

-2.0

270

mA

mS

-3.5

V

V

V

o

漏极耐压IGD = 1.0毫安

源极击穿电压的Ig = 1.0毫安

热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）

-12

-7

-15

-14

55

C / W

最大额定值在25

O

C

符号

参数

绝对

1

连续

2

漏源电压

12V

8V

VDS

栅源电压

-8V

-4V

VGS

漏电流

IDSS

260Ma

IDS

正向栅电流

20mA

4mA

Igsf

输入功率

25dBm

@ 3分贝压缩

针

通道温度

175

o

C

150

o

C

总胆固醇

储存温度

-65/175

o

C

-65/150

o

C

TSTG

总功耗

2.5 W

2.1 W

Pt

注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。

2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。

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