规格比较
Vishay Siliconix公司
Si4501ADY与Si4501DY
描述：互补的MOSFET半桥（ N和P通道）
包装：
SOIC-8
引脚输出：
相同
型号替换：
Si4501ADY替换Si4501DY
Si4501ADY -E3 （无铅版）替换Si4501DY
Si4501ADY -T1替换Si4501DY -T1
Si4501ADY -T1 -E3 （无铅版）替换Si4501DY -T1
业绩概要：
该Si4501ADY是替代原有的Si4501DY ;这两部分进行相同的限制，包括对参
下面的表格。
绝对最大额定值（T
A
= 25
_C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25_C
连续漏电流
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
符号
V
DS
V
GS
通道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
Si4501ADY
30
8
"20
"8
8.8
5.7
7.0
4.5
30
30
1.8
1.8
2.5
1.6
55
150
50
Si4501DY
30
8
"20
"8
9.0
6.2
7.4
5.0
30
20
1.7
1.7
2.5
1.6
55
150
50
单位
V
A
I
DM
I
S
P
D
T
j
和T
英镑
R
thJA
W
_C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
规格（T
J
= 25
_C
除非另有说明）
Si4501ADY
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
导通状态
在国家漏极电流
V
GS
= 10 V
V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 10 V
漏源导通电阻
漏源导通电阻
V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
=
2.5
V
正向跨导
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
r
D ( )
DS （ ON）
V
（ BR ） DSS
V
G（ TH ）
I
GSS
I
DSS
I
D( )
D（上）
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
20
0.015
0.030
0.022
0.048
18
12
0.73
0.75
1.1
0.018
0.042
0.027
0.060
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
8
0.8
0.45
1.8
1.0
"100
1
1
30
20
0.015
0.034
0.022
0.048
20
14
0.71
0.70
1.1
1.1
0.018
0.042
0.027
0.060
S
V
W
30
8
0.8
0.45
"100
1
1
V
Si4501DY
最大
民
典型值
最大
单位
符号信道
民
典型值
nA
mA
A
文档编号： 72891
14-Jun-04
www.vishay.com
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