Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
通态漏电流
b
I
D（上）
V
DS
=
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
=
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.1 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.3 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 1 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
P沟道
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5.3 A
N沟道
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.1 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
Ω
P沟道
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
I
F
= 2.1 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= - 2.1 ， di / dt的= 100 A / μs的
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11
6.0
2.5
1.3
3.2
1.6
35
20
50
35
31
55
15
35
30
25
50
30
80
60
50
85
30
60
60
50
ns
17
9
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.1 A
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 5.3 A
I
S
= 2.1 A，V
GS
= 0 V
I
S
= - 2.1 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
- 20
0.016
0.048
0.024
0.082
29
11
0.8
- 0.8
1.2
- 1.2
0.020
0.060
0.030
0.100
S
V
Ω
0.6
- 0.6
1.5
- 1.5
± 100
± 100
1
-1
5
-5
A
A
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
a
最大
单位
注意事项：
一。通过设计保证，不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 72281
S- 61005 -REV 。 C， 12军， 06
