Si4500BDY
Vishay Siliconix公司
互补MOSFET半桥（ N和P通道）
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
P沟道
20
- 20
r
DS （ ON）
(Ω)
0.020在V
GS
= 4.5 V
0.030在V
GS
= 2.5 V
0.060在V
GS
= - 4.5 V
0.100在V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
9.1
7.5
- 5.3
- 4.1
特点
TrenchFET
功率MOSFET
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si4500BDY-T1
Si4500BDY -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
D
G
2
S
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
A，B
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
2.1
2.5
1.6
9.1
7.3
30
1.1
1.3
0.8
- 2.1
2.5
1.6
- 55 150
N沟道
10秒
稳定状态
20
± 12
6.6
5.3
- 5.3
- 4.9
- 20
- 1.1
1.3
0.8
W
°C
P沟道
10秒
稳定状态
- 20
± 12
- 3.8
- 3.1
A
单位
V
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
≤
10秒。
t
≤
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
N沟道
典型值
40
75
20
最大
50
95
22
41
75
23
P沟道
典型值
最大
50
95
26
° C / W
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72281
S- 61005 -REV 。 C， 12军， 06
www.vishay.com
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