新产品
Si5902BDC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
5
16
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 10通6 V
5V
I
D
- 漏电流（ A）
4
12
3
T
C
= 25 °C
2
T
C
= 125 °C
1
8
4V
4
3
V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.0
T
C
= - 55 °C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.20
300
传输特性
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.16
- 电容（pF ）
250
C
国际空间站
200
0.12
V
GS
= 4.5 V
150
0.08
V
GS
= 10 V
0.04
100
C
OSS
50
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0.00
0
5
10
I
D
- 漏电流（ A）
15
20
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏极电流
10
V
DS
= 15 V，I
D
=
3.6
A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
r
DS （ ON）
- 导通电阻
1.6
1.8
电容
V
GS
= 10 V, 4.5 V
I
D
=
3.1
A
1.4
（归一化）
6
1.2
4
V
DS
= 24 V，I
D
=
3.6
A
1.0
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 70415
S- 71326 -REV 。 A， 02 -JUL- 07
导通电阻与结温
www.vishay.com
3
