EDK1216CFBJ
注：1。 IDD4取决于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
除了这一点， IDD4测定的条件下，地址是在变更仅一次
TCK （分钟） 。
2. IDD5测定的条件下，地址是在TCK变为只有1时间（分） 。
直流特性2 （ TA =
25°C
至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V ， VSS和VSSQ = 0V）
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–2.0
–1.5
0.9
×
VDDQ
—
马克斯。
2.0
1.5
—
0.1
×
VDDQ
单位
A
A
V
V
测试条件
0
≤
VIN
≤
VDDQ
0
≤
VOUT
≤
VDDQ ，
DQ =取消
IOH =
0.1mA
IOL = 0.1毫安
笔记
引脚电容（ TA = + 25 ° C， VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V ）
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
三角洲输入电容
Cdi1
Cdi2
输入/输出电容
增量的输入/输出电容
CI / O
CDIO
引脚
CK ， / CK
所有其他输入专用管脚
CK ， / CK
所有其他输入专用管脚
DQ ， DM ， DQS
DQ ， DM ， DQS
分钟。
1.5
1.5
—
—
2.0
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
3.5
3.0
0.25
0.5
4.5
0.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
注：1.这些参数的条件下测得：
TA = + 25°C 。
2. Dout的电路都被禁止。
F = 100MHz时， VOUT = VDDQ / 2 ，
ΔVOUT
= 0.2V,
AC特性（ TA =
25°C
至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V ， VSS和VSSQ = 0V）
参数
时钟周期时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
从CK DQ输出访问时间， / CK
DQS -循环时间
从CK DQS输出访问时间， / CK
从CK DQ-出高阻抗的时候， / CK
从CK DQ-了低阻抗的时候， / CK
DQS到DQ歪斜
从DQS DQ / DQS输出保持时间
数据保持倾斜因子
DQ和DM输入建立时间
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入脉冲宽度
阅读序言
阅读后同步
写序言建立时间
写序言
写后同步
符号
TCK
总胆固醇
TCL
THP
TAC
TDSC
tDQSCK
太赫兹
TLZ
TDQSQ
tQH
TQHS
TDS
TDH
tDIPW
tRPRE
tRPST
tWPRES
tWPRE
tWPST
分钟。
7.5
0.45
0.45
分钟。 （TCH ， TCL ）
2.5
0.9
2.5
—
1.0
—
THP
TQHS
—
0.8
0.8
1.8
0.9
0.4
0
0.25
0.4
马克斯。
100
0.55
0.55
—
6.0
1.1
6.0
6.0
—
0.6
—
0.75
—
—
—
1.1
0.6
—
—
0.6
单位
ns
TCK
TCK
TCK
ns
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
TCK
TCK
7
3
3
2, 8
5, 8
6, 8
3
4
2, 8
笔记
初步数据表E1194E20 （版本2.0 ）
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