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IRFI9Z14G ， SiHFI9Z14G
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
12
3.8
5.1
单身
S
特点
- 60
0.50
隔离包
高隔离电压为2.5千伏
RMS
（T = 60秒;
F = 60赫兹）
灌铅爬电距离= 4.8毫米
P沟道
175 ° C的工作温度
动态的dv / dt额定值
低热阻
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
的TO-220 FULLPAK
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米云母障碍与标准TO - 220产品。该
FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片
单个螺钉固定。
D
P沟道MOSFET
摹 S
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
的TO-220 FULLPAK
IRFI9Z14GPbF
SiHFI9Z14G-E3
IRFI9Z14G
SiHFI9Z14G
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
a.
b.
c.
d.
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 5.0 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 5.3 （见图12 ）。
I
SD
≤
- 6.7 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
1.6毫米的情况。
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
- 60
± 20
- 5.3
- 3.8
- 21
0.18
120
- 5.3
2.7
27
- 4.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91170
S-挂起-REV 。 A， 23军08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
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