E7802
测试和测量产品
应用信息（续）
外部"Driver High"缓冲区
因此，每通道功耗因
E7802驱动阻性负载：
P = [I
L（高）
个R
DS （H ）
x深] + [I
L (L)]
个R
DS （ L）
×（1 -D） ]
其中：
P
总功率耗散E7802作为
所述电阻性负载中，R的一个结果
L
[]
I
L（高）
是当前的由R所需要的量
L
在一个逻辑“高”状态[ A]
R
DS （H ）
是E7802的输出阻抗
驾驶逻辑驱动器时， “高”状态[ Ω ]
D
是时间逻辑的归一化量
“高”驱动（占空比）
I
L(L)
是当前的由R所需要的量
L
在逻辑“低”状态[ A]
R
DS （ L）
是E7802的输出阻抗
驾驶逻辑驱动器时， “低”状态[ Ω ]
驱动电流比200毫安大
在E7802的驱动器通道可以连接
平行于驱动电流超过每额定200毫安较大
个体司机。
2
2
V
H
RDS （H ）
简化的
E7802
产量
舞台
H
L
DOUT
IL
RT
RDS （ L）
VT
V
L
外部"Driver Low"缓冲区
图4.简化E7802的功能示意图
输出级和外部缓冲器
在E7802的输出级的CMOS开关具有导通
电阻值（由R表示
DS （H ）
和R
DS （ L）
在网络连接gure
4）变化为VH和VL的电压电平的函数。该
电流通过负载阻抗，R所需的量
T
，是
也VH和VL的电压电平的函数，如下所示：
开关在图3中位置的“H” ：
I
L（高）
=
VH - V
T
R
DS （H ）
+ R
T
VL = V
T
R
DS （ L）
+ R
T
开关在Figure3处于位置“L”：
I
L(L)
=
2008 Semtech公司集团，启5 ， 08年3月7日
www.semtech.com
