LTC3835-1
应用信息
高输入电压应用中MOSFET的大
正在被驱动的在高频率可能会导致
最高结温额定值为LTC3835-1
被超过。该INTV
CC
目前，这是占主导地位
通过栅极充电电流，由5.25VV供给
IN
LDO 。在这种情况下，功耗的IC等于
到V
IN
I
INTVCC
。栅极充电电流取决于
在工作频率为在英法fi效率讨论
注意事项一节。结温度可以是
通过使用的注2中给出的方程估计
电气特性。例如， LTC3835-1
INTV
CC
电流从24V限制为小于25毫安
供应的GN包时：
T
J
= 70 ° C + （ 25毫安） （ 24V ） （ 90 ° C / W） = 125°C
为防止最高结温为
突破，将输入电源电流，必须同时检查
在连续导通模式（ PLLIN / MODE
- INTV
CC
）的最大V
IN
.
顶边MOSFET驱动器电源（C
B
, D
B
)
外部自举电容
B
连接到升压
引脚提供栅极驱动电压为上部MOSFET。
电容C
B
在功能图，虽然充电
外部二极管D
B
从INTV
CC
当SW引脚为低电平。当
顶侧MOSFET中的一个要被接通，则驱动器的地方
了C
B
两端的电压所需的MOSFET的栅极 - 源极。
这增强了MOSFET的导通和上部开关。
开关节点电压，SW，上升到V
IN
和BOOST引脚
如下。与上部MOSFET上，升压电压
上述输入电压： V
BOOST
= V
IN
+ V
INTVCC
。值
升压电容C
B
需要是100倍的
上部MOSFET （S ）的总输入电容。相反
外部肖特基二极管的击穿必须大
比V
IN （MAX）
。当调整栅极驱动电平，所述网络连接纳尔
仲裁器的总输入电流的调节器。如果变更
是由与所述输入电流减小，则英法fi效率
有所改善。如果在输入电流没有变化，则
还有在英法fi效率没有变化。
故障条件：电流限制和电流折返
该LTC3835-1包括电流折返，以帮助极限载荷
当输出短路到地的电流。如果输出
低于其标称输出电平的70％ ，则马克西
妈妈检测电压逐渐从100mV的降低
到30mV 。下短路条件下具有非常低的占空比
周期时， LTC3835-1将开始循环，以跳绳来
限制了短路电流。在这种情况下，底
MOSFET将被消散大部分功率，但小于
在正常的操作。短路纹波电流阻止 -
由最小导通时间t开采
开（分钟）
在LTC3835-1的
（ ≈180ns ）时，输入电压和电感值：
ΔI
L（ SC ）
= t
开（分钟）
(V
IN
/L)
所得到的短路电流为：
I
SC
=
10mV的1
–
Δ
I
R
SENSE
2
L（ SC ）
故障条件：过电压保护（短路器）
该过压保护电路被设计成吹系统输入
熔合当稳压器的输出电压上升时高得多的
比标称的水平。撬棍将导致巨大的电流溢流，
是烧断保险丝，以防止短路高端MOSFET
如果发生短路，而该控制器正在运行。
比较器监视过压条件输出
系统蒸发散。比较器（ OV ）检测到过压故障较大
比上述额定输出电压的10％。当此
条件被感测，高端MOSFET被关断，并在
底部MOSFET导通，直到过压状态
被清除。底部MOSFET将一直打开
只要在OV情况仍然存在;如果V
OUT
返回到
一个安全的水平，正常运行自动恢复。一
短路高端MOSFET将导致高电流条件
这将打开系统的保险丝。开关调节器
通过改变将适时调节以一个漏水的顶级MOSFET
占空比，以容纳泄漏。
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