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TC14433/A
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有规定ED ，V
DD
= +5V, V
EE
= -5V ，C
1
= 0.1 μF ， （聚酯薄膜） ，C
0
= 0.1 μF ，R
C
= 300千欧，R
1
= 470 kΩ的@ V
REF
= 2V,
R
1
= 27 kΩ的@ V
REF
= 200毫伏，T
A
= +25°C.
典型的翻转误差与电源斜
翻转误差（IN LSD ）
在满量程
（ PLUSE COUNT LESS减号COUNT ）
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
注：翻转误差是在输出的差异
读了同一模拟输入切换
从正到负的。
典型静态电源电流vs.Temp 。
4
I
Q
- 静态电流（mA ）
3
V
EE
= -8V
V
DD
= +8V
2
1
V
EE
= -5V
V
DD
= +5V
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
(V
DD
Ⅰ-Ⅳ
EE
I） - 电源电压SKEW （ V）
T
A
- 温度（℃ ）
图2-1：
供应斜
翻转误差与电源
图2-4：
静态电源
电流与环境温度。
典型的P沟道漏电流在V
DD
– V
SS
= 5伏
-3
I
D
- 吸收电流（毫安）
典型的N沟道漏电流在V
DD
– V
SS
= 5伏
5
I
D
- 吸收电流（毫安）
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（V
DC
)
-40°C
+25°C
+85°C
-40°C
-2
+25°C
+85°C
-1
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
V
DS
- 漏极至源极电压（V
DC
)
图2-2：
吸收电流在V
DD
= 5V.
图2-5：
吸收电流在VDD = 5V 。
典型的时钟频率 - 电阻器（R
C
)
I
CLK
- 时钟频率（Hz ）
典型的变化％ FO时钟频率与温度。
4
1M
注： ± 5 ％的典型变化特征
电源电压范围
± 4.5V至± 8V
I
CLK
- 时钟频率
（百分比变化）
3
2
1
0
-1
-2
-5V电源
± 8V电源
100k
归一化在25℃下
-3
-4
-40
-20
0
20
40
60
80
10k
10kΩ
100kΩ
1MΩ
R
C
- 时钟频率的电阻
时钟频率
16,400
时钟频率
80
±1.5%
T
A
- 温度（℃ ）
转换速率=
MULTIPLEX RATE =
时钟频率
±1.5%
16,400
时钟频率
80
转换速率=
MULTIPLEX RATE =
图2-3：
电阻器（R
C
)
时钟频率 -
图2-6：
％更改为时钟
频率随环境温度。
DS21394D第5页
2008 Microchip的技术公司
