IL410 / IL4108
威世半导体
1
6
2
V
DINHmin
= F（我
F
/I
FT
25°C),
参数：T已
j
器件零电压
开关可以触发
只有在阴影区
下面TJ曲线。
5
0.1
F
220 V~
3
4
iil410_12
iil410_13
图12.典型的静态抑制电压限制
图13. 1应用一个电容电源引脚在负载侧
技术信息
整流行为
在输出端采用了可控硅造成的困难
换由于两个内置的耦合晶闸管
系统。双向可控硅可以保持导通寄生
关闭控制电流之后触发。然而
以往，如果IL410 / 4108配有两个独立的
可控硅芯片具有高dv / dt的实力，没有RC税务局局长
CUIT需要的情况下换向。
33
1
6
2
5
22 nF的
220 V~
3
4
电流换向：
值100 A /毫秒以下的峰值反向
恢复电流> 80毫安不应超过。
iil410_14
避免高频率的关断电流
振荡：
开关电路时，可能会出现这种效果。当前
这实质上出现与感性的振荡
较高的绕组容量结果在电流负载
减刑，能产生较高的峰值
反向恢复电流。下面的交替
被推荐为符号所指出的防护措施
维杜阿尔操作状态：
图14. 2 - 连接一个串联电阻的输出和桥
两者通过一个电容
500
H
1
6
2
5
22 nF的
220 V~
3
4
iil410_15
图15. 3 - 连接低绕组帽的一个瓶颈。在系列，
例如，一个Ringcore呛，用更高的负载电流
注意：测量2到3是尤其需要的负载另行
操作过程中，从额定的IL410 / IL4108 。上述men-
tioned效果不IL410 / IL4108电路，这是发生
文档编号83627
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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