INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDX92
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BDX94
BDX96
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE(sat)-1
V
BE(sat)-2
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
BDX92/94/96
条件
民
-45
典型值。
最大
单位
I
C
= -30mA ;我
B
=0
B
-60
-80
-0.8
-1.0
-1.5
-2.0
-1.4
-0.1
-2.0
-0.1
-2.0
-0.1
-2.0
V
V
V
V
V
V
I
C
= -5A ;我
B
= -1A
B
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
I
CBO
集热器
截止目前
I
首席执行官
集热器
截止目前
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -5A ;我
B
= -1A
B
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
BDX92
BDX94
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
V
CB
= -30V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
V
CB
= -40V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
CB
= -50V ;我
E
= 0; T
C
= 150℃
mA
BDX96
BDX92
BDX94
V
CE
= -60V ;我
B
= 0
V
CE
= -80V ;我
B
= 0
-0.2
mA
BDX96
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
V
CE
= -100V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
I
C
= -5A ; V
CE
= -2V
I
C
= -1A ; V
CE
= -10V
20
10
4
兆赫
-0.1
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -3A ;我
B1
= -I
B2
= -0.3A
打开-O FF时间
2.0
μs
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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