600V的CoolMOS C6功率晶体管
IPx60R950C6
电气特性
4
电气特性
电气特性，在
T
J = 25℃ ，除非另有说明
表6
参数
静态特性
符号
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
600
2.5
-
-
栅极 - 源极漏电流
-
3
-
10
-
0.86
2.22
16
值
典型值。
马克斯。
-
3.5
1
-
100
0.95
-
-
nA
A
V
单位
注/测试条件
V
GS
=0 V,
I
D
= 0.25毫安
V
DS
=
V
GS
,
I
D
= 0.13毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=1.5 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=1.5 A,
T
j
=150 °C
f
= 1 MHz时，漏极开路
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
-
-
-
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
栅极电阻
R
G
-
表7
参数
动态特性
符号
分钟。
值
典型值。
280
21
14
57
10
8
60
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
ns
pF
-
-
-
-
-
-
-
单位
注意： /
测试条件
输入电容
输出电容
有效输出电容，
能源相关
1)
有效的输出电容，时间
相关
2)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
V
GS
=0 V,
V
DS
=0...480 V
I
D
=常数，
V
GS
=0 V
V
DS
=0...480V
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=1.9A,
R
G
= 12.2
（见表20）
下降时间
t
f
-
13
-
1)
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS
2)
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS
FinalData的表
6
2.1版， 2010-03-11
