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2兆位的SPI串行闪存
SST25VF020B
数据表
写状态寄存器（ WRSR ）
在写状态寄存器指令将新值
在BP1 ， BP0和BPL位的状态寄存器。 CE＃
的命令序列之前，必须先驱动为低电平
WRSR指令输入，前驱动为高电平
WRSR指令被执行。参见图20 EWSR或
WREN和WRSR字节数据的输入序列。
在执行写状态寄存器指令将
忽略当WP＃为低电平和BPL位被设置为“1”。当
该WP＃为低电平， BPL位只能设置从“0”到“1”到
锁定向下状态寄存器，但不能从“1”复位
为“0” 。当WP＃为高，中的锁定功能
CE＃
模式3
BPL位被禁用， BPL ， BP0和BP1位，
状态寄存器都可以改变。只要BPL位被置
0或WP ＃引脚驱动为高电平（V
IH
）之前，由低到高
在CE ＃引脚在WRSR年底的过渡指令
化，在状态寄存器中的位都可以被改变的
WRSR指令。在这种情况下，单个WRSR指令
可以设置BPL位为“1”来锁定状态寄存器的
以及改变BP0 ，BP1和BP2位在同一
时间。请参阅表2为WP ＃的简要描述，并
BPL功能。
0 1 2 3 4 5 6 7
模式3
模式0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
SCK
模式0
SI
最高位
SO
50或06
最高位
01
高阻抗
状态
在注册
7 6 5 4 3 2 1 0
最高位
1417 EWSR.0
图20 ：启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）或
写使能（ WREN）和写状态寄存器（ WRSR ）字节的数据输入序列
在写状态寄存器指令也写入新val-
UE的状态寄存器1 ，将值写入状态
注册1， WRSR序列需要一个字数据
输入的第一个字节是状态寄存器位，接着
由第二字节状态寄存器1的位。 CE＃必须
在WRSR的指令序列前驱动为低电平
指令输入和WRSR之前拉高
指令被执行。参见图21 EWSR或WREN
和WRSR指令字，数据输入序列。
在执行写状态寄存器指令将
忽略当WP＃为低电平和BPL位被设置为“1”。当
该WP＃为低电平， BPL位只能设置从“0”到“1”到
锁定向下的状态寄存器，但不能从复位'1'
为'0' 。在BPL的当WP ＃为高电平时，锁定功能
位被禁用， BPL ， BP0 ， BP1 ， TSP和BSP位
,
在状态寄存器中都可以改变。只要BPL位
被设置为0或WP＃引脚被驱动为高（Ⅴ
IH
）之前的低到
在CE＃引脚在WRSR年底大转变
指令时，在状态寄存器中的位都是可以改变的
通过WRSR指令。在这种情况下，单个WRSR
指令可以设置BPL位为“1”来锁定状态
注册以及改变BPL ， BP0 ， BP1 ， TSP和
,
BSP位在同一时间。请参阅表2总结
的WP ＃和BPL功能的描述。
2010硅存储技术公司
S71417-02-000
04/10
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