64兆位的SPI串行双I / O闪存
SST25VF064C
数据表
页面-计划
本页面编程指令的程序多达256字节
在存储器中的数据。所选择的页面地址必须在
启动页面程序之前擦除状态（ FFH ）
操作。适用于受保护的内存页，程序
区域将被忽略。
在此之前的程序操作，写使能（ WREN ）
指令必须被执行。 CE ＃必须保持低电平
对于页-编程指令的持续时间。的页面 -
程序指令被执行8位发起的COM
命令， 02H ，其次是地址位A23- A0 。继
地址，至少需要一个字节为数据输入。 CE＃
必须驱动为高电平的指令执行前。该
用户可以轮询软件状态寄存器的忙位或
等待牛逼
PP
为完成内部自定时的页面 -
程序操作。参见图10的页面程序
序列。
对于网页编程，内存范围SST25VF064C
坐落在256字节页边界。该装置手柄
超过256个字节的数据通过保持上次移
256字节的数据的偏移为正确的数据被亲
编程。如果目标地址的页，程序
指令不在页边界上的开始（ A7-
A0是不是所有的零）和数据输入的数目超过
或重叠的页边界的地址的结尾，
多余的数据输入将回绕，将亲
在编程的目标页的开始。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39
SCK
SI
模式0
02
最高位
添加。
LSB MSB
添加。
添加。
数据字节1
最低位
LSB MSB
SO
高阻抗
CE＃
2072
2073
2074
2075
2076
2077
2078
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55
2079
SCK
SI
最高位
数据字节2
LSB MSB
数据字节3
最低位
最高位
数据字节256
最低位
SO
高阻抗
1392 F30.0
图10 ：页面程序序列
2010硅存储技术公司
S71392-04-000
04/10
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