ISL12022M

修订历史

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网络，以确保您拥有最新版本

（续）

日期

07/22/09

07/10/09

调整

FN6668.5

FN6668.5

变化

更正日期从2008年7月10日至2009年7月10日，并重新发布。不转，没有正式的检讨

需要使用M赌场。

请参阅以下链接更改详细列表：

http://intranet.intrepid.intersil.com/Windchill/wtcore/jsp/isil/ViewIsilPart.jsp?oid=VR%3Aext

.isil.part.mcol.MCOL%3A114266645

第3页上改变了存储温度：

"-65 ° C至+ 165 ° C"至"-40 ° C至+ 85° C"

添加到规格表 - 三角洲FoutI第3页。

添加磁带和卷轴参考资料订购信息。

更新在第3页的规格表中的以下参数：

1.改变最大为IDD1 @ 5V从6.5到7 ，和IDD1 @ 3V从5.5到6 。

2.删除ATLSB （每灵敏度LSB ） ，从规格表。

数据表的全面改革。网络改变了目的地YES ;准备在正式审查

支持POQ的

修订与最终规格和文本。变化包括：

添加文字和公式IBAT的温度感ON，以及相对精度为1米VS 10米

间隔

添加文字说明的是，在Vbat<2.7V不赔偿

修订后的整个一大跳节省时间段

添加应用实例DST

对于Vbat>1.8V在Vbat的注意补充规定。

添加应用程序电路生存Vbat<1.8V

纠正阿尔法表中的所有事件

在NPPM部分更正公式

BOLD和阴影的COMPENSATON在大表寄存器来表示只读，添加笔记

在桌子上。添加READ ONLY语句IATR ， α，β ， XT0 ， ALPHAH

固定的空白位寄存器表和文字。

登记表：更改默认值补偿XX的，它们与各自不同的

装置。

添加数据表曲线

添加语句的应用程序部分的晶体处理类似Maxim的

根据铅完成更新无铅说明（订单信息）

** 8月11日 - 拱形NO到网上。数据正在更新由吉姆· Pflasterer额外

编辑。这个版本不是一个发布的版本**

- 删除了"VDD"从第一页上的标题。更新文件信息和MCOL性能

页面了。

- 在整个文件的VBAT和VDD全球变化。使"BAT"和"DD"标。

- 包含电池重新封装功能的特性和描述第1页

- 注3第5页，下壳体"i"如"inactive"

- 第3页包含的符号"Temp"的温度传感器准确度直流表

- DST正向寄存器的第一段已经不正确的地址表示（改为从15H到

20h)

- 修正寄存器20H第20页，添加了DSTE位到第7栏

-EQ2 ，第20页，更正为"NPPM = IPPM + α（ T- XT0 ） 4096"分之2

初始发行与FN6668使之成为一个牧师0 。

12/18/08

12/15/08

12/09/08

FN6668.4

FN6668.3

FN6668.2

11/03/08

FN6668.1

3/21/08

FN6668.1

02/29/08

FN6668.0

制品

Intersil公司是高性能模拟半导体设计和制造的领导者。该

公司的产品面向多个业界增长最快的市场，如平板显示器，移动电话，

手持产品，以及笔记本电脑。 Intersil的产品系列具有电源管理和模拟信号

处理功能。到

www.intersil.com/products

为Intersil的产品系列的完整列表。

*对于应用程序的完整列表，相关文档及相关零部件，请参见相应的设备

在intersil.com信息页面：

ISL12022M

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www.intersil.com/askourstaff

适合都可以从我们的网站

http://rel.intersil.com/reports/search.php

30

FN6668.7

2010年6月4日