ISL12022M
这些寄存器将被保留。这些寄存器将举行
原掉电值，直到它们被清零
设置CLRTS = 1来清除寄存器。
该ISL12022M的正常电源切换
设计切换到备用电池模式仅当
V
DD
功率被丢失。这将确保该设备可以
接受多种类型的广泛的备份电压
来源而可靠的切换到备份模式。
注意， ISL12022M不能保证操作
随着V
BAT
< 1.8V 。如果电池电压，预计
降的比这个最低时，正确的操作
设备（尤其是后一个V
DD
掉电周期）不
保证。
最小V
BAT
以保证SRAM稳定的1.0V 。
以下是，在SRAM的可能损坏当V
DD
电力恢复。
频率输出模式
该ISL12022M具有选项来提供一个时钟输出
利用信号的IRQ /女
OUT
开漏输出引脚。该
频输出模式是通过使用对FO位设置
从1 /为32Hz选择15个可能的输出频率值
为32kHz 。输出频率可以启用/禁用
在使用FOBATB位电池备份模式。
通用用户SRAM
该ISL12022M提供128字节的用户的SRAM。该
SRAM将继续在电池备份模式下工作。
然而，应该指出的是，我
2
C总线被禁用
在电池备份模式。
I
2
C接口
该ISL12022M有我
2
C串行总线接口，
提供访问控制和状态寄存器和
用户SRAM 。在我
2
C串行接口兼容
与其他行业我
2
使用C串行总线协议
双向数据信号（ SDA）和时钟信号（SCL） 。
实时时钟操作
实时时钟（ RTC ），使用集成的32.768kHz
石英晶体保持精确的内部
秒，分，小时的表示，星期几，
日期，月份和年份。该RTC还具有闰年
校正。时钟还纠正了有几个月
少于31天，并有一个位控制24小时
AM / PM格式。起来以后， ISL12022M权力当
两个V损失
DD
和V
BAT
，时钟将不会开始
递增，直到至少一个字节被写入到时钟
注册。
振荡器补偿
该ISL12022M提供了最初的定时校正
和温度修正因的变化
晶体振荡器。模拟和数字微调控制
提供用于初始调节，并且温度
补偿功能是自动提供给
正确的晶体温度漂移。初始值
对于初始的AT和DT设置（ ITR0 ），温度
系数（ α），液晶电容（ BETA ） ，以及
作为晶体翻转温度（ XTO ） ，是预先设定的
内部和回忆到RAM上电寄存器。
这些值可以由用户来重写
尽管这不是建议作为由此而来
温度补偿性能会
受到损害。
补偿功能可
启用/禁用在任何时间，可以在电池中使用
方式为好。
单事件和中断
报警模式通过MSB位使能。选择
单一事件或中断报警模式通过选择
IM位。请注意，当频率输出功能
启用时，报警功能被禁用。
该标准允许报警的时间，日期报警，
星期，月份和年份的。当时间报警
发生在单个事件模式下， IRQ /女
OUT
销会
拉低，报警状态位（ ALM ）将被置
为'1' 。
脉冲中断模式允许重复或
循环闹铃功能。因此，一旦报警是
设置，设备将继续报警每个发生
报警，并且当前时间的匹配。因此，它会自动报警
频率高达每分钟（如果只在第n个第二设定），或
的次数，一年一次（如果至少第n个月
设置） 。在脉冲中断模式下， IRQ /女
OUT
针
将被拉低了250毫秒，报警状态位
（ALM）将被设置为“1”。
所述ALM位可以由用户或复位清零
自动使用自动复位模式（见ARST位） 。
报警功能可以被启用时/禁用
使用FOBATB位电池备份模式。欲了解更多
在报警信息，请参阅“报警寄存器
第20页（ 10H到15H） “ 。
注册说明
在电池供电的寄存器访问下面一
对“ 1101111x ”奴隶字节，读或写操作
地址[ 00H ： 2Fh的。该定义的地址和默认
值在表1中备份电池中描述了
通用SRAM都有不同的从机地址
（ 1010111x ），所以这是不可能读/写该
的存储部，而在访问寄存器。
寄存器访问
的寄存器中的内容可以通过修改
执行字节或直接页写操作，以
任何寄存器地址。
该寄存器被分成8个部分。他们是：
1.实时时钟（ 7个字节） ：地址00H到06H 。
2.控制和状态（ 9字节） ：地址07H到0Fh 。
3.报警（ 6个字节） ：地址10H到15H 。
4.时间戳电池状态（ 5个字节） ：地址
16小时，为1Ah 。
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FN6668.7
2010年6月4日
