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ISL12022MA
指定的。
黑体字限额适用于工作温度范围为-40° C至+ 85°C 。 （续）
符号
t
苏： DAT
参数
测试条件
民
（注7 ）
100
典型值
（注8）
I2C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，温度= -40 ° C至+ 85 ° C，除非另有
最大
（注7 ）单位备注
ns
输入数据建立时间从SDA退出30 ％至70 ％
V的
DD
窗口，以SCL上升沿
穿越的V 30 ％
DD.
输入数据保持时间
从SCL下降沿穿越30 ％
V的
DD
到的SDA进入30％至
V 70 ％
DD
窗口。
从SCL上升沿穿越70 ％
V的
DD
到SDA上升沿交叉
Ⅴ的30％的
DD
.
从SDA上升沿SCL下降
边缘。两个过路的V 70 ％
DD
.
t
高清： DAT
20
900
ns
t
苏： STO
停止条件建立
时间
停止条件保持
时间
600
ns
t
高清： STO
t
DH
600
0
ns
ns
输出数据保持时间从SCL下降沿穿越30 ％
V的
DD
直到SDA进入30％至
V 70 ％
DD
窗口。
SDA和SCL上升时间从30 ％到V 70 ％
DD.
SDA和SCL下降时间从70 ％到V的30 ％
DD.
的容性负载
SDA和SCL
总片上和片外
t
R
t
F
Cb
R
PU
20 + 0.1× Cb的
20 + 0.1× Cb的
10
1
300
300
400
ns
ns
pF
kΩ
13, 14
13, 14
13, 14
13, 14
SDA和SCL总线上拉最高为t确定
R
和
电阻片外
t
F
.
用于CB = 400pF时，最大的约
2kΩ~2.5kΩ.
用于CB = 40pF ，最大约为
15kΩ~20kΩ
注意事项：
7.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立
表征和不生产测试。
8.指定在+ 25°C 。
9.温度转换是无效的低于V
BAT
= 2.7V 。设备操作不能保证在V
BAT
<1.8V.
10. IRQ /女
OUT
无效。
11. V
DD
＆ GT ; V
BAT
+V
BATHYS
12.为了确保适当的计时，在V
SR- DD
规范必须遵守。
13.限制应被视为典型的和不生产测试。
14.这是我
2
具体参数，未经测试，但是，它们是用来设置用于测试设备来验证条件
特定连接的阳离子。
15.最小V
DD
和/或V的
BAT
1V的维持SRAM中。该值是基于特征并没有经过测试。
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FN7575.1
2010年7月9日
