ISL12020M
电池电压跳闸电压注册
（ PWR_VBAT ）
该寄存器控制跳变点为两个V
BAT
警报，含量设定为约85％和75％的
标称电池电量。
表7中。
地址7
0Ah
6
5
4
VB85
Tp1
3
2
1
0
RESEALB VB85
Tp2
VB85 VB75 VB75 VB75
Tp0
Tp2
Tp1
Tp0
表9.电池电平监视TRIP BITS
（ VB75TP<2 ： 0> ）
电池报警
旅行等级
(V)
1.875
2.025
2.250
2.475
2.700
3.750
4.125
VB75Tp2
0
0
0
0
1
1
1
VB75Tp1
0
0
1
1
0
0
1
VB75Tp0
0
1
0
1
0
1
0
重新封装BIT （ RESEALB ）
这是主动断开V的重新封装位
BAT
针
从内部电路。设置此位将允许
设备断开电池和消除待机
漏电流而设备未使用。一旦V
DD
is
电时，该位被复位，并且在V
BAT
脚是那么
连接到内部电路。
对于该位的应用包括将所述芯片上的
板带电池和测试板。一旦
板进行了测试和准备运送，理想的是
断开电池，以保持它的新鲜，直到板或
单元被放置到最终用途。设置RESEALB =“1”
启动电池断开连接，并经过V
DD
电源
循环下来了一遍，重新封装位被清零
“0”.
电池电平监视TRIP BITS
（ VB85TP<2 ： 0> ）
标称V的三位选择第一个报警（ 85 ％
BAT
)
电平为电池电压监视。有共
7个等级，可以被选择用于所述第一报警。任
的水平可以被选择为不带所述第一报警
参考以标称电池电压电平。看
表8 。
表8. VB85T警报级别
电池报警
旅行等级
(V)
2.125
2.295
2.550
2.805
3.060
4.250
4.675
最初的AT和DT设置寄存器（ ITRO ）
这些位用来调整初始误差（在室温
温度的结晶） 。这两个数字微调（ DT ）
和模拟微调（ AT ）方法可用。该
数字微调采用的时钟脉冲跳跃和插入
用于频率调整。模拟修整使用负载
电容调整拉振荡器频率。一
为+ 62.5ppm至-61.5ppm范围是可能的
结合数字和模拟微调。
为ITR0寄存器的初始值是内部预置
并回顾到RAM上电寄存器。
这些
值可以通过虽然用户被覆盖
这是不建议作为所得到的温度
补偿性能将受到损害。
老化调整通常是几ppm的，并且可以是
通过写IATR部分处理。
老化与初始TRIM数字微调
BITS （ IDTR0<1 ： 0> ）
这些位允许±为30.5ppm初步修整区间为
晶振频率。这意味着是一个粗
调整，如果需要的范围之外是的
IATR控制。请参阅表10。 IDTR0寄存器应
只有改变而TSE （温度传感使能）位
为“0” 。
该ISL12020M有一个预设的初始数字微调
值对应的晶体模块中。这
值回忆初始上电时，应该永远
改变了最佳温度补偿
性能，虽然用户可以改变该预设
值调整为老化或电路板安装的变化，如果这样
所需。
表10. IDTR0修整范围
IDTR01
IDTR00
0
1
0
1
裁剪范围
默认/禁用
+30.5ppm
0ppm
-30.5ppm
VB85Tp2
0
0
0
0
1
1
1
VB85Tp1
0
0
1
1
0
0
1
VB85Tp0
0
1
0
1
0
1
0
电池电平监视TRIP BITS
（ VB75TP<2 ： 0> ）
三位选择第二个报警的名义（ 75 ％
V
BAT
）电平的电池电压监视。有
共7个等级，可以被选择用于所述第二
警报。任何的电平可以被选择作为
第二次报警，没有参考，以标称电池
电压电平。见表9 。
17
0
0
1
1
FN6667.4
2010年2月11日
