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SEMiX904GB126HDs
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
j
= 150°C
I
CRM
= 2xI
cnom
V
CC
= 600V
V
GE
≤
20V
T
j
= 125°C
V
CES
≤
1200V
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
1200
821
572
1200
-20 ... 20
10
-40 ... 150
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
752
516
1200
3600
-40 ... 150
600
-40 ... 125
AC窦50Hz的，T = 60
4000
V
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMiX的
4s
沟道IGBT模块
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
j
= 150°C
I
FRM
= 2xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，半正弦波，T
j
= 25°C
SEMiX904GB126HDs
初步数据
特点
齐思
海沟= Trenchgate技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强
UL认可文件中没有。 E63532
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊接
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
每个IGBT
I
cnom
= 600A
V
GE
= 15V
chiplevel
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
43.1
2.25
1.95
4800
1.25
440
85
60
710
130
88
0.05
1.7
2.00
1
0.9
1.2
1.8
5.8
0.12
2.1
2.45
1.2
1.1
1.5
2.3
6.5
0.36
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
备注
案例。温度限制与T
C
=125°C
马克斯。
不适用于新设计
V
GE
=V
CE
, I
C
= 24毫安
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
CE
= 25V
V
GE
= 0V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25°C
V
CC
= 600V
I
cnom
= 600A
T
j
= 125°C
R
G于
= 1.6
R
克OFF
= 1.6
GB
由赛米控
03.04.2008
1
