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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
要更改设备来读取阵列模式，同时它的编程或擦除，第一个问题
暂停命令。手术后已经暂停，发出读阵列
命令。当编程或擦除操作随后被恢复，该装置
会自动恢复到读状态模式。
注意：
发出读阵列命令的设备，同时正在积极进行编程或
擦除会导致后续从器件输出无效数据读取。有效的数组
数据被输出，只有程序之后或擦除操作完成。
读阵列命令的功能独立于VPEN的电压电平的。
9.2.2
读状态寄存器
发出读状态寄存器命令将设备中读状态寄存器
模式。后续读取输出状态寄存器信息， DQ [ 7 ： 0 ]和00H上
DQ [15：8 ] 。该器件保持在读状态寄存器模式，直到一个不同的读
模式指令发出。进行编程，擦除或块锁定操作也
更改设备的读取模式，读取状态寄存器模式。
状态寄存器被更新的CE ＃或OE ＃下降沿时， CE＃为低。
状态寄存器的内容是有效的，只有当SR7 = 1。当WSM是积极的， SR7
表示WSM的状态和SR [ 6 ： 0 ]处于高阻态。
在读状态寄存器命令的功能独立于所述电压电平的
VPEN 。
9.2.3
读取设备信息
发出读取设备信息命令将器件置于读取设备
信息模式。后续读取的DQ输出设备的信息[ 15 ： 0 ] 。在
情况下的256 Mbit的设备（2× 128） ，则该命令应当发出至所述基
管芯的地址。
该器件仍然在读取设备信息模式，直到一个不同的读取命令
发行。此外，执行一个程序，擦除或块锁定操作而改变所述装置
到读状态寄存器模式。
在读取设备信息命令功能独立的电压电平
VPEN 。
9.2.4
CFI查询
该查询表包含闪存产品信息的分类，如块大小，
密度允许的命令集，电气规格和其它产品
信息。在此表中包含的数据符合通用闪存接口
（ CFI ）协议。
发行CFI查询命令将器件置于CFI查询模式。随后
在读取DQ [ 15 ： 0 ]输出CFI信息.The装置保持在CFI查询模式，直到
一个不同的读命令发出，或一个程序或执行擦除操作，
这改变了阅读模式，以读状态寄存器模式。
CFI查询命令的功能独立于VPEN的电压电平。
9.3
注意：
编程操作
所有编程操作所需要的处理块被解锁，并且有效
VPEN电压施加在整个编程操作。否则，该
编程操作将中止，设置相应的状态寄存器错误位（ S） 。
数据表
38
2007年11月
308551-05
