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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
表3：
符号
D[15:8]
信号说明恒忆嵌入式闪存（ J3诉D） （第2页
2 ）
TYPE
输入/
产量
名称和功能
高字节数据总线：
在x16的缓冲区写入和编程操作的输入数据。
输出阵列，CFI或在适当的阅读模式标识符数据;不使用状态寄存器
读取。数据在x16模式下的写操作内部锁存。 D [ 15-8 ]漂浮在x8模式
CHIP ENABLE ：
激活32位， 64位和128 Mbit的器件的控制逻辑，输入缓冲器，解码器，
和读出放大器。当该装置被取消选择，功率降低到备用水平。
所有的时序规格是相同的这三个信号。与第一设备选择发生
CE0 ， CE1 ， CE2或边缘，使该设备。设备取消选择时用的第一边缘
CE0 ， CE1 ， CE2或禁用该设备。
CHIP ENABLE ：
激活的256Mbit器件的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器，和感
放大器器。
设备选型时与CE＃第一条边，使设备。取消选择设备
发生与CE＃第一条边是禁止device.s
RESET ：
RP ＃ - 低复位内部自动化和使器件在掉电模式。 RP ＃ - 高
能够正常运行。从复位退出设置设备来读取阵列模式。当驱动为低电平，
RP ＃禁止写操作期间，该电源转换提供数据保护。
OUTPUT ENABLE ：
在读周期激活通过数据缓冲器装置的输出。
OE ＃为低电平有效。
写使能：
控制写入CUI ，写缓冲和阵列模块。 WE＃为低电平有效。
地址和数据锁存， WE＃上升沿。
状态：
表示的内部状态机的状态。当在水平模式下配置
（默认值） ，它作为一个RY / BY＃信号。当它的脉冲模式中的一个配置，它可以素菜
表明程序和/或擦除完成。 STS是被束缚到VCCQ带有上拉电阻。
字节使能：
BYTE ＃ - 低将器件置于x8模式;数据被输入或输出通过D [ 7：0] ，而
D [ 15：8]被置于高阻抗。地址A 0的高字节和低字节之间进行选择。 BYTE ＃ - 高的地方
该装置在x16模式，并关闭时，A0输入缓冲器。地址A1变为最低阶
地址位。
擦除/编程/块锁定ENABLE ：
用于擦除阵列块，编程数据，或
配置锁定位。
随着V
笔
≤
V
PENLK
，存储器的内容不能被改变。
核心供电：
核心（逻辑）电源电压。写入到闪存阵列被禁止时， V
CC
≤
V
LKO
.
注意：在无效的Vcc电压设备操作不应该尝试。
I / O电源：
电源，用于输入/输出buffers.This球可以直接连接到V
CC
.
地面：
器件的逻辑电压的参考地。连接到系统地。
无连接：
铅是没有内部连接;它可被驱动或浮置。
保留供以后使用：
指定为RFU球由恒忆为将来预留装置
功能和增强功能。
CE [ 2：0]
输入
CE＃
输入
RP ＃
输入
OE ＃
WE＃
输入
输入
漏极开路
产量
STS
BYTE ＃
输入
VPEN
输入
VCC
VCCQ
GND
NC
俄罗斯足协
动力
动力
供应
—
—
数据表
18
2007年11月
308551-05
