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恒忆嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
图13 ： 8字异步页模式阅读
R1
R2
A [ MAX ： 4 ] [ A]
A[3:1] [A]
R3
CEX [ E]
R4
OE ＃ [G]
WE＃ [W]
R6
R7
D [ 15 ： 0 ] [ Q]
R5
RP ＃ [P]
BYTE ＃
注意事项：
1.
CE
X
低被定义为CE0 ， CE1 ， CE2或的最后边，使设备。 CE
X
高被限定在第一边缘
CE0 ， CE1 ， CE2或禁用该设备。
2.
在此图中， BYTE ＃为高电平
R10
1
R15
2
7
8
R10
R8
R9
数据表
26
2007年11月
308551-05
