位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第138页 > DE275-102N06A > DE275-102N06A PDF资料 > DE275-102N06A PDF资料1第1页
DE275-102N06A
RF功率MOSFET
N沟道增强模式
低Q
g
和R
g
高dv / dt
纳秒的开关
非常适用于C类，D ， &权证申请
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
DC
P
美国国土安全部
P
数字调幅广播
R
thJC
R
thJHS
符号
测试条件
T
c
= 25°C
减额2.0W / ℃，高于25 ℃，
T
c
= 25°C
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
最大额定值
1000
1000
±20
±30
8
48
6
20
5
>200
590
300
3.0
0.25
0.50
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W
W
C / W
C / W
SG1
SG2
门
=
=
=
=
1000 V
8A
1.5
590 W
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A /微秒，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
P
DC
漏
SD1
SD2
特点
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
循环能力
IXYS先进的低Q
g
过程
低栅极电荷和电容
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
特征值
分钟。
1000
3.5
5.0
±100
50
1
1.5
2.5
4.3
0.50
-55
175
-55
+175
300
2
+175
7
典型值。
马克斯。
V
V
nA
A
mA
S
C / W
°C
°C
°C
°C
g
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
R
thJHS
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
T
J
= 25°C
V
GS
= 0
T
J
= 125°C
V
GS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 20 V，I
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
优势
优化的RF和高速
高功率密度
工作频率为100MHz的切换
易于安装，无需绝缘子
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
