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Si9730
Vishay Siliconix公司
N沟道MOSFET选择指南
部分
数
Si4410DY
Si4412DY
Si6434DQ
Si4936DY
Si9936DY
Si6954DQ
r
DS （ ON）
(W) @
V
GS
= 10 V
0.0135
0.028
0.028
0.037
0.050
0.065
r
DS （ ON）
(W) @
V
GS
= 4.5 V
0.020
0.042
0.042
0.055
0.080
0.095
I
D
(A)
10
7
5.6
5.8
5
3.9
V
GS （ TH）
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
CONFIG 。
单身
单身
单身
双
双
双
包
SO-8
SO-8
TSSOP-8
SO-8
SO-8
TSSOP-8
推荐
目前应用
(A) @ 25
_
C
9
6.3
4.9
3.5
2.9
1.9
V+
100
W
Si9730
1 V
M
2 N
C
3 V
DD
100
W
4 C
D
DCO
8
V
SS
7
I
S
6
V
C
5
100
W
10 nF的
+
15毫瓦
47千瓦
470 nF的
100
mF
Si9936
100
W
1 V
M
2 N
C
Si9730
DCO
8
V
SS
7
I
S
6
V
C
5
470 nF的
+
100
mF
3 V
DD
100
W
4 C
D
10 nF的
100
W
47千瓦
15毫瓦
V
Si9936
图9 。
www.vishay.com
4芯电池电路
文档编号： 70658
S- 40135 -REV 。男， 16 -FEB -04
12
