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Si9730
Vishay Siliconix公司
输出电容
根据所选择的MOSFET时， Si9730可以打开
切换相当快，在几微秒的物质。
然而，不同的监测行动采取10-100倍
比这更长，并且Si9730的振荡器的基本周期
是4毫秒。为了防止错误的读数由Si9730 ，它
要附加一个电容器两端的输出
电池充电器/负载（这是
不
在与电池并联
因为开关） 。一个10 μF的电容推荐
为此目的;参见图8 。
例如，要得到一个14毫瓦。电阻器，我们需要长/宽
= 28 ;为0.01痕量宽度“ ，迹线的长度应
0.28 “ 。
MOSFET选择
两个MOSFET串联，其来源和大门
连接在一起的，被用作开关。这可以防止
电流从任一方向流动时的栅极为低电平;如果
唯一的MOSFET 1中所用的体二极管可以进行
电流在相反的方向上。
LITTLE FOOT MOSFET是推荐使用
由于应用程序，它们的尺寸，性能和成本
好处。 SO -8和TSSOP-8封装的MOSFET允许的空间
高效的设计与性能等于或优于他们的
DPAK和TO -220的前辈。此外，它们的可用性
来自多个源的允许成本有效的解决方案。
有在MOSFET需要考虑的两个重要参数
选择：栅极阈值电压;和导通电阻，这
决定了功耗。
即使当Si9730的DCO引脚为低电平时，本说明书中
允许其值高达0.4伏。如果这个电压接近
至栅极的阈值电压，漏电流流过
的MOSFET可以是几百微安，这将
因此在电池迅速成为放电。为了确保
泄漏被最小化，以n沟道MOSFET
为0.8V最小栅极阈值电压应选择。
上所需要的MOSFET的电阻被选择来限制
功耗为MOSFET的封装。例如，
一个双MOSFET SO-8封装的额定功率为2瓦，以及双
MOSFET TSSOP -8封装的额定功率为1瓦（无论是在25_C ;若
在环境温度较高时，允许功率
耗散在这些包是更少）。例如，如果
最大电流为2 A，和双MOSFET的SO- 8封装
被使用时，导通电阻的2的最大
串联的MOSFET不能超过
1 W = （ 2 A）
2
* R
ON
或R
ON
= 0.25
W;
每个MOSFET可以分配一半及此，
R
ON
= 125毫瓦。帐户还必须考虑这样的事实
MOSFET的导通电阻是温度的函数;一
保守的做法将使1/3 ，R打折
ON
=
125毫瓦
* (2/3) = 80
每个MOSFET兆瓦。
推荐MOSFET的名单，其中威世Silicoix
耗材，如下。
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选择一个电流检测电阻器
电流检测电阻器应根据被选择
最大电流的电池可以提供或电荷;以上
这个电流时， Si9730将打开开关，断开
电池从它的负载或充电器。
R
SENSE
= V
ILIMIT
/I
ILIMIT
28毫伏/ I
ILIMIT
当然，电阻额定值必须采取电源
消散在里面还有：
P
RSENSE
= I
ILIMIT
* V
ILIMIT
28毫伏* I
ILIMIT
例如，假设最大电流的电池
将看到的是1.8 A.然后，我
极限
可能被选择为2 A.我们
然后将选择的电阻
R
SENSE
= 28毫伏/ 2 A = 14毫瓦。
在这个电阻上的功率损耗是
P
RSENSE
= 28毫伏* 2 = 56毫瓦
等一100mW的表面安装电阻是合适的。
另一种可能性是使用一种薄的铜迹线的感
电阻器。铜具有的温度系数
0.39％ / _ C，但由这部分地补偿
在限流比较器的温度系数
Si9730 ，这是0.18％ / _下进行。一个简单的公式用于选择
跟踪充当电流传感器是：
长
1盎司铜
宽度
R
+
0.5毫瓦
文档编号： 70658
S- 40135 -REV 。男， 16 -FEB -04
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