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IDT70V9189L
高速64K ×9双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
的时序波形流，通过读 - 写阅读（ OE = V
IL
)
(3)
t
CH1
CLK
t
CYC1
t
CL1
CE
0
t
SC
CE
1
t
HC
t
SW
t
HW
R/
W
t
SW
t
HW
地址
(4)
An
t
SA
t
HA
一个+1
一个+ 2
一个+ 2
t
SD
t
HD
一个+ 3
在+ 4
数据
IN
(2)
DN + 2
t
CD1
Qn
t
DC
读
t
CD1
QN + 1
t
CKHZ
NOP
(5)
(1)
t
CD1
t
CD1
QN + 3
t
DC
4860 DRW 12
数据
OUT
t
CKLZ
写
(1)
读
的时序波形流，通过读 - 写阅读（ OE控制）
(3)
t
CYC1
t
CH1
t
CL1
CLK
CE
0
t
SC
CE
1
t
HC
t
SW
t
HW
R/
W
地址
(4)
t
SW
t
HW
An
t
SA
t
HA
一个+1
一个+ 2
t
SD
t
HD
DN + 2
(2)
一个+ 3
在+ 4
在+ 5
数据
IN
t
CD1
Qn
t
OHZ
OE
(1)
DN + 3
t
DC
t
OE
t
CD1
(1)
t
CD1
QN + 4
t
DC
数据
OUT
t
CKLZ
读
写
读
4860 DRW 13
注意事项：
1.转变是从与输出负载测试（图2 ）低或高阻抗电压测量0mV 。
2.输出状态（高，低或高阻抗）是由前一周期的控制信号来确定。
3.
CE
0
和
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN ，
和
CNTRST
= V
IH
。 ＆ QUOT ; NOP ＆ QUOT ;是[否操作和QUOT ;.
4.地址不必被顺序地访问，因为
ADS
= V
IL
不断加载在CLK的上升沿的地址;号码是
参考使用。
5. "NOP"是"No Operation."数据在存储器的指定地址可能被破坏，并应被重新写入，以保证数据的完整性。
6.42
11
