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EDD51323DBH-LS
当前状态
/ CS
/ RAS
×
H
H
H
H
L
L
L
/ CAS
×
H
H
L
L
H
H
L
/ WE
×
H
L
H
L
H
L
×
地址
×
×
×
BA ， CA， A10
BA ， CA， A10
BA ， RA
BA ， A10
×
命令
DESL
NOP
BST
读/ READA
WRIT /令状内
法案
PRE ， PALL
手术
NOP
NOP
违法
非法*
非法*
非法*
非法*
违法
14
14
11, 14
11, 14
带自动预写
H
1
费*
L
L
L
L
L
L
L
备注：
注：1 。
2.
3.
4.
5.
6.
H： VIH 。 L： VIL 。
×:
不在乎。
DDR的移动RAM是"Precharging"状态色氨酸发出预充电命令后。
DDR的移动RAM达到"IDLE"状态激进党发出预充电命令之后。
DDR的移动RAM是"Refresh"状态tRFC发出自动刷新命令后。
DDR的移动RAM是"Activating"状态的tRCD发出ACT命令后。
DDR的移动RAM是"Active"状态"Activating"完成后。
DDR的移动RAM是"READ"状态，直到突发数据已经输出和DQ输出电路
关闭。
7. DDR移动RAM是"READ与READA命令自动precharge" ，直到突发数据已经
输出和DQ输出电路被关断。
8.移动DDR RAM是从WRIT命令的最后一个突发数据"WRITE"状态输入。
9. DDR移动RAM以"Write recovering"为tWR的之后的最后一个数据被输入。
10. DDR移动RAM以"Write自动precharge"直到tWR的在最后一个数据被输入。
11.此命令可能对其他银行发行，根据银行的状态。
12.所有的银行必须在"IDLE" 。
13.在执行写命令，停止上述突发读取操作， BST命令必须是
发行。
14. DDR移动RAM支持同时自动预充电功能，具有自动预充电或读
具有自动预充电写，可以跟随任何命令给其他银行，只要该命令
不中断读取或写入数据传输，以及所有其他相关的限制适用（例如争
READ之间必须避免数据和写入数据。 ）
从读取的最小延迟或写命令自动预充电，一个命令到不同的银行，
总结如下。
要命令（不同银行，非
打断命令）
读或读W / AP
写或写W / AP
预充电或激活
最小延迟
（同时支持AP ）
BL/2
CL （四舍五入） + （ BL / 2 ）
1
1+（ BL / 2）+ tWTR
BL/2
1
从命令
读W / AP
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
写W / AP
读或读W / AP
写或写W / AP
预充电或激活
初步数据表E1432E20 （版本2.0 ）
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