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HY5DU56822F(L)TP-xxI
HY5DU561622F(L)TP-xxI
IDD规格和条件
测试条件
测试条件
（ TA = -40 85
o
C，电压参考V
SS
= 0V)
符号
IDD0
工作电流：
一家银行;主动 - 预充电;的tRC =的tRC （分钟） ; TCK TCK = （分钟） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟改变两倍
周期;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
工作电流：
一家银行;主动 - 读 - 预充电;
突发长度= 2 ;的tRC =的tRC （分钟） ; TCK TCK = （分钟） ;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
预充电关机待机电流：
所有银行闲置;掉电模式; CKE =低， TCK TCK = （分钟）
空闲待机电流：
/ CS =高，所有的银行闲置; TCK TCK = （分钟） ;
CKE =高;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次。
VIN = VREF为DQ ， DQS和DM
空闲安静待机电流：
/ CS> = VIH（MIN ） ;所有银行闲置; CKE> = VIH（MIN ） ;地址和其他控制输入稳定， VIN = Vref的为DQ ， DQS
和DM
主动关机待机电流：
一家银行主动;掉电模式; CKE =低， TCK TCK = （分钟）
主动待机电流：
/ CS = HIGH ; CKE =高;一家银行;主动预充电;的tRC = tRAS的（最大） ; TCK TCK = （分钟） ;
DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其它控制输入每个时钟改变一次
周期
工作电流：
突发= 2;读取;可连拍;一家银行主动;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
TCK TCK = （分钟） ; IOUT = 0毫安
工作电流：
突发= 2;写;可连拍;一家银行主动;地址和控制输入，每个时钟周期改变一次;
TCK TCK = （分钟） ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍
自动刷新电流：
的tRC = tRFC （分钟） - 8 *为DDR200在100MHz ， 10 TCK TCK *为DDR266A & DDR266B在133Mhz的;分布式刷新
的tRC = tRFC （分钟） - 14 * TCK为DDR400 ，在200Mhz的
自刷新电流：
CKE = < 0.2V ;外部时钟; TCK TCK = （分钟）
工作电流 - 四大银行操作：
四大银行， BL = 4的交织
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7
1.0版/十一月2007年
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