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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第430页 > D45C12G > D45C12G PDF资料 > D45C12G PDF资料2第1页
D45C12 ( PNP ) ,
D44C12 ( NPN )
其他芯片
功率晶体管
该D45C12和D44C12是通用的驱动程序或
中等功率输出级的连续或开关应用。
特点
http://onsemi.com
低集电极 - 发射极饱和电压 - 0.5 V (最大值)
高F
t
对于良好的频率响应
低漏电流
无铅包可用*
4.0安培互补
广颖电
晶体管80伏
4
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
价值
80
90
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
VCES
V
EB
I
C
5.0
4.0
6.0
连续集电极电流 -
山顶(注1 )
总功率耗散@ T
C
= 25°C
总功耗
@ T
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
P
D
30
1.67
W
W / ℃,
°C
T
J
, T
英镑
- 55 150
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
TO-220AB
CASE 221A
风格1
1
2
3
标记图
&放大器;引脚分配
4
集热器
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
4.2
75
单位
D4xC12G
AYWW
1
BASE
2
集热器
x
A
Y
WW
G
= 4或5
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
3
辐射源
热阻,
结到外壳
° C / W
° C / W
°C
热阻,
结到环境
最大无铅焊接温度的
目的:从案例的1/8 ,持续5秒
275
1.脉冲宽度
v
6.0毫秒,占空比
v
50%.
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年11月 - 第2版
出版订单号:
D45C12/D
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