初步
数据表
RJK6006DPD
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 1.4
（典型值） 。 （在我
D
= 2.5 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
REJ03G1935-0100
Rev.1.00
2010年6月1日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZG -A
（包名称： MP -3A ）
4
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
D
G
12
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
PW
10 s,
占空比
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ，总胆固醇
150C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
注4
I
D（脉冲）
I
DR
Note1
I
DR （脉冲）
Note3
I
AP
Note3
E
AR
PCH
注2
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
价值
600
30
5
15
5
15
5
2
77.6
1.61
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G1935-0100 Rev.1.00
2010年6月1日
第1页6
