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BD00GC0WEFJ
（HEAT
损失
技术说明
热设计应允许在下列条件中的操作。需要注意的是所列出的温度在允许的
温度范围，并且热设计应允许从限制足够的裕量。
1.环境温度Ta不能超过85 ℃。
2.芯片结温（Tj ）不能超过150 ℃。
芯片结温可如下确定：
①
根据环境温度的计算（ Ta）的
TJ = TA + θJ -A ×宽
参考
值\u003e
θJ -A ：
HTSOP - J8 153.2 ℃ / W 1层基材（铜箔密度0毫米× 0毫米）
113.6 ℃ / W 2层基材（铜箔密度型15mm x 15mm ）
59.2 ℃ / W 2层基材（铜箔密度70毫米X30 70毫米）
4层基板（铜箔密度70毫米X30 70毫米）
33.3℃/W
3
基板尺寸： 70 × 70 × 1.6毫米（基板与散热孔）
大多数发生在BD00GC0WEFJ的热损失从输出P沟FET的生成。功率损耗由下式确定
总V
cc
-vo电压和输出电流。务必确认该系统的输入和输出电压和输出电流
相对于V形的散热特性的条件
IN
和武在设计中。铭记热
耗散可能会发生变化基本上取决于使用的（由于在引入的电源包在基板上
BD00GC0WEFJ做出一定因素，如基板尺寸为热设计条件。
消耗功率（W ） =
输入电压（VCC） - 输出电压（VO）
× IO（大道）
例）当VCC = 5.0V ， VO = 3.3V ， IO（ AVE） = 0.1A ，
消耗功率（ W） = 5.0 （ V） -3.3 （V ）
×0.1(A)
=0.17(W)
●关于
等效串联电阻ESR （陶瓷电容器等）的
电容器通常具有ESR （等效串联电阻） ，并
工作稳定ESR- OUT范围，显示右。通常，血沉
陶瓷，钽和电子电容器等是为每个不同的
所以请一定要检查电容器是要使用，并且使用
它里面的稳定范围，显示右。然后，请评价为
实际应用。
能力偏差特色
100
血沉[ Ω ]
10
1
0.1
0.01
0
50
100
IOUT [马]
150
200
稳定的区域特性
（例如特性）
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6/11
2010.04 - Rev.A的
