位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第0页 > BD00GA3EFJ-E2 > BD00GA3EFJ-E2 PDF资料 > BD00GA3EFJ-E2 PDF资料1第10页
BD00GC0WEFJ
技术说明
（11） 。 IC的关于输入引脚
这种单片IC含有以保持它们分离的相邻元件之间的P +隔离和P衬底的层。
PN结形成于与其他元素的N个层，这些层P的交点，产生的寄生二极管或
晶体管。例如，每个电势之间的关系如下：
当GND引脚> A和GND引脚> B， PN结作为一个寄生二极管。
当接地>针B ， PN结作为一个寄生晶体管。
寄生二极管可以发生不可避免的集成电路的结构。寄生二极管的动作可能会导致相互
电路之间的干扰，操作故障，或物理损坏。因此，方法由寄生二极管
操作，如施加一个电压，该电压比与GND （ P衬底）电压的输入端子时，不应该
使用。
电阻器
引脚上的
引脚上的
P
+
N
P
P
+
N
N
P
+
N
P
P
+
N
晶体管（ NPN ）
引脚B
C
B
E
B
C
E
引脚B
N
P型衬底
寄生元件
GND
寄生
元素
P型衬底
寄生元件
GND
GND
GND
寄生
元素
其他相邻元素
（ 12）。接地布线图形。
当使用两个小信号和大电流GND模式，建议隔离两个接地图案，放置
在应用程序的地电位的单一接地点，使图案的接线电阻和电压变化
引起的大电流不会造成变化的小信号接地电压。请注意，不要改变GND
接线任何外部元件的模式，无论是。
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
10/11
2010.04 - Rev.A的
