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三菱的LSI
2002.04.18
版本。 6
M5M5V416CWG -55HI ， -70HI
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5V416CWG组织为262144字经
16位。这些开发冰在单+ 2.7 3.6V电源工作
供应，并直接TTL兼容到输入和
输出。它的F ully ST ATIC电路，需要的不是钟也没有
裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ，W ＃和
OE ＃ 。每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。将地址（ A0 A17）
必须建立BEF矿石写CY 乐，必须是稳定的
在整个CY 乐。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的执行
列夫·埃尔和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和
S1 ＃ 1和S 2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BC1 ＃在高列弗EL及其他引脚
在ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。并设置BC2 ＃在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在
利高报或S2在低列弗EL ，芯片是在非
可选的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级是在高
阻抗状态，允许或领带与其他芯片和
通过BC1 ＃ ， BC2 ＃和＃ S1 ，S2内存扩展。
电源供应C光凭目前被减小低至0.2μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
ICC
x长
X X X X
非选择
高-Z高阻待机
H H X X X X
非选择
高-Z高阻待机
X X
H H X X
非选择
高-Z高阻待机
高阻活动唤醒中断é
H L X
DIN
L H L
写
DOUT高阻活动唤醒中断é
L H L H H L
读
L H L H H H
高-Z高阻活动唤醒中断é
L H H L L
X
高阻声浪
ACTIV ê
写
L H H L H L
高阻Dout的
ACTIV ê
读
高-Z高阻活动唤醒中断é
L H H L H H
L H L
L L X
DIN
DIN
ACTIV ê
写
L H L
L H L
DOUT
DOUT
ACTIV ê
读
L H ^ h
高-Z高阻活动唤醒中断é
L H L
在此表中（注） "H"和"L"意味着V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
"X"在这个表应该是"H"或"L" 。
模式
DQ1~8
DQ9~16
DQ
1
S1#
S2 BC1 BC2 ＃ ＃ W＃ OE ＃
框图
A
0
A
1
存储阵列
262144字
×16 BITS
A
16
A
17
S1#
S2
BC1#
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
BC2#
VCC
W#
GND
OE ＃
2
