FM93C56A 2K位串行CMOS EEPROM
（ MICROWIRE
TM
同步总线）
表2指令集（8位机构）
指令
读
文
写
WRALL
WDS
抹去
ERAL
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码字段
10
00
01
00
00
11
00
X
1
X
0
0
X
1
A7
1
A7
1
0
A7
0
A6
X
A6
X
X
A6
X
地址栏
A5
X
A5
X
X
A5
X
A4
X
A4
X
X
A4
X
A3
X
A3
X
X
A3
X
A2
X
A2
X
X
A2
X
A1
X
A1
X
X
A1
X
A0
X
A0
X
X
A0
X
数据字段
D7-D0
D7-D0
功能说明
一个典型的微丝周期的开始，首先选择设备
（将CS信号的高点） 。一旦设备被选中，一个有效的
起始位（“1” ）应被发给正确识别的周期。
在此之后，相应的指令的2位操作码应
签发。之后的操作码位， 8位（或9位）地址
应发出的信息。对于某些指令，一些
此字段的比特位是不关心的值（可以是“0”或“1”） ，但是它们
还是应该发出。下面的地址信息，这取决于
决于该指令（ WRITE和WRALL ） ，16位数据（或8位）的
发出。否则，根据指令（READ ），则
设备开始驾驶DO线的输出数据。其他
指令执行特定控制功能和不处理
数据位。当CS信号带来的微丝周期结束
低。然而在特定的指令，在CS的下降沿
信号启动一个内部周期（编程） ，并且该设备
依然忙碌，直到完成内部循环。每个
7说明进行了详细说明在下面的章节。
3 ）写（写）
写指令允许写操作在指定位置
与指定的数据的存储器。此指令才有效
设备是可写的（参见文说明） 。
输入信息（起始位，操作码，地址和数据），这
WRITE指令应作为列在表1或
表2输入数据的最后位（ D0位） ， CS信号必须经过
SK时钟的下一个上升沿之前被拉低。这
在CS的下降沿启动自定时编程周期。
这需要吨
WP
时间（参见相应的直流和交流电气特
开创性意义的表）的内部编程周期完成。中
此时，该设备仍然忙和没有准备好另一
指令。
内部编程周期的状态可以随时进行查询
时间再次使CS信号高，T后
CS
间隔。当
CS信号为高电平，则DO引脚指示READY / BUSY状态
芯片。 DO =逻辑0表示该节目仍是
进行中。 DO =逻辑1表示该节目是
完成，设备已准备好执行下一条指令。它不是
需要这种状况轮询期间提供的SK时钟。而
设备忙时，建议没有新的指令是
发行。参考
写循环图。
此外，还建议按照使用说明（该设备后，
准备好），用写禁止（ WDS ）指令
保障因寄生噪声数据反腐败，不经意
耳鼻喉科写等
1 ）读（READ ）
READ指令允许将数据从一个选定的位置读
在存储器阵列。输入信息（起始位，操作码和
地址），该指令应作为列在表
1或表2中。当接收到一个有效的输入信息，进行解码
操作码和地址被制成，随后的数据传输
从所选择的存储位置成16位串行输出的移位
注册。该16位数据（或8位数据） ，然后移出的
DO引脚。数据的MSB （ D15和D8 ）被移出第一和LSB
（ DO ）是最后一个移出。一个虚拟位（逻辑0 ）此之前的数据
输出字符串。输出数据变化的上升沿启动
的SK时钟。读取16位（或8位）的数据中，CS后
信号可以被拉低，结束读出周期。参考
读周期
图。
4）写的所有（ WRALL ）
写所有（ WRALL ）指令类似，写指令
除了WRALL指令将同时编程所有
存储器位置与所述指令指定的数据模式。
该指令是有效的，只有当设备处于写使能（参见
文指令） 。
输入信息（起始位，操作码，地址和数据），这
WRALL指令应作为列在表1
表2输入数据的最后位（ D0位） ， CS信号必须经过
SK时钟的下一个上升沿之前被拉低。这
在CS的下降沿启动自定时编程周期。
这需要吨
WP
时间（参见相应的直流和交流电气特
开创性意义的表）的内部编程周期完成。中
此时，该设备仍然忙和没有准备好另一
指令。内部编程的状态可以作为查询
在WRITE指令说明中描述。当器件
正忙，则建议没有新的指令发出。
参考
写入所有循环图。
2 ）写使能（ WEN ）
当V
CC
施加到部件，它“上电”，在写禁止
（ WDS ）的状态。因此，所有的编程操作必须是
前面有一个写使能（ WEN ）指令。一旦写
启用指令被执行，程序仍然启用
直到写禁止（ WDS ）指令被执行或V
CC
is
从部分完全去除。输入信息（起始位，
操作码和地址），这个文教学应发出
如列在表1或表2中所述的装置变直写
在这个周期中，当CS信号变为低电平年底启用。
一个READ指令的执行是独立的温指令的
化。参考
写使能循环图。
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