三菱N沟道功率MOSFET
FL7KM-12A
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
（典型值）
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
20
源电流我
S
(A)
V
GS
= 0V
脉冲测试
20
T
C
H = 25℃
I
D
= 7A
16
16
T
C
= 125°C
75°C
25°C
12
V
DS
= 100V
200V
400V
12
8
8
4
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
V
GS
= 10V
7 I
D
= 3.5A
5脉冲测试
3
2
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
5.0
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
10
0
7
5
3
2
2.0
1.0
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
日（ CH - C ）
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D = 1.0
3
0.5
2
1.2
10
0
0.2
7
5 0.1
3 0.05
2
1.0
0.8
P
DM
tw
10
–1
7
5
3
2
0.02
0.01
单脉冲
T
D
=
tw
T
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
2001年9月
沟道温度Tch （ ° C）
