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HYS 72Vxx5 / 6x0GR - 7.5
低调PC133 SDRAM注册模块
AC特性（ SDRAM设备规范）
（续）
T
A
= 0至70
°
C
1)
;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1纳秒
参数
符号
分钟。
刷新周期
4), 5)
限值
-7.5
马克斯。
单位
记
t
REF
刷新周期
的128Mbit SDRAM基于模块
256基于& 512Mbit的SDRAM模块
自刷新退出时间
读周期
数据输出保持时间
数据输出为低阻抗时间
数据输出为高阻时间
DQM数据输出禁用延迟
写周期
数据输入到预充电
（写恢复）
DQM写面膜延迟
–
–
–
1
15.6
7.8
–
s
s
CLK
6)
t
SREX
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
0
3
–
–
–
7
2
ns
ns
ns
CLK
–
7)
7)
–
t
WR
t
DQW
2
0
–
–
CLK
CLK
–
–
在网络连接霓虹灯技术
11
1.02
