LH75401/LH75411
恩智浦半导体
系统级芯片
液晶显示
触摸屏
可以
网
可以
收发器
可以
2.0B
STN / TFT ，
AD- TFT / HR- TFT
A / D
FL灰
LH75401
SRAM
A / D
UART
传感器
ARRAY
GPIO
SSP
BOOT
只读存储器
1
4
7
2
5
8
0
3
6
9
#
*
串行
EEPROM
关键
矩阵
LH754xx-2A
图4. LH75401系统应用实例
功能概述
ARM7TDMI -S处理器
在LH75401 / LH75411微控制器的功能
ARM7TDMI - S内核与先进的高性能
总线（ AHB ） 2.0接口。在ARM7TDMI -S是一个16位/ 32位
嵌入式RISC处理器和ARM7的一员
拇指系列处理器。欲了解更多信息，请访问：
ARM的网站www.arm.com 。
电源
五伏耐受3.3 V的I / O采用。该
LH75401 / LH75411微控制器需要一个单一的
3.3 V电源。核心逻辑需要1.8 V ，通过提供
片上线性稳压器。核心逻辑电源也可
由外部供给实现更高的系统
速度。请参阅电气规格。
时钟源
在LH75401 / LH75411微控制器可以使用
两个晶体振荡器或外部时钟。
有两个时钟树：
一个时钟树驱动一个内部锁相环
（PLL），和三个UART 。它支持一个晶体
振荡器频率范围从14兆赫至20兆赫。
另一种是32.768 kHz振荡器产生一
1 Hz的时钟RTC的。 （使用32.768 kHz的crys-的
TAL的实时时钟是可选的。如果不使用
水晶，配合XTAL32IN到VSS ，让XTAL32OUT
浮动）。
14至20 MHz晶体振荡器驱动的UART
时钟，因此14.7456 MHz的晶振频率为消遣
ommended实现调制解调器波特率。
锁相环可以绕过和一个外部时钟
在XTALIN提供;该系统芯片将运行于DC与
PLL禁用。当这样做时，允许XTALOUT浮动。
以绕过了PLL的输入时钟将是两倍
期望的系统的工作频率，和护理必须
注意不要超过最大输入时钟电压。
对于系统的速度和输入电压的最大值
给出的电气规格。
总线架构
在LH75401 / LH75411微控制器使用
ARM高级微控制器总线架构（ AMBA ）
2.0内部总线协议。三AHB主控制
访问外部存储器和片上外设：
在ARM处理器中取指令和传输
FERS数据
直接存储器存取控制器（ DMAC ）反
FERS从存储器到存储器，从外周向
存储器，并且从存储器到外围
该LCDC刷新了液晶面板与数据
外部存储器或从内部存储器中的
帧缓冲器是16k字节或更少。
在ARM7TDMI -S处理器是默认总线mas-
之三。高级外设总线（ APB ）桥是亲
单元提供访问到的各种APB外设。
一般情况下， APB外设都是由ARM提供服务
核心内容。然而，如果支持DMA的它们，它们也
由DMAC提供服务，以提高系统的性能
而ARM内核的本地内存中运行。
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启示录01
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2007年7月16日
初步数据表
