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PRE
离子。焊割。
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人s SUBJ
散热片
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T
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冰：
不ê段
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So
LIM
元
IN
三菱微型计算机
M37754M8C - XXXGP ， M37754M8C ， XXXHP
M37754S4CGP ， M37754S4CHP
单芯片16位CMOS微机
（当3-
φ
在高速运转的访问<Read> ）
t
瓦特（H）的
t
瓦特（L）的
F（X
IN
)
t
W（ φL ）
φ
1
t
W（ φH ）
t
r
t
f
t
c
t
d(φ
1
-RD ）
t
d(φ
1
-RD ）
RD
t
W（ RD ）
WR
t
W（ ALE ）
ALE输出
t
D（ ALE -RD ）
t
D（ BHE -RD ）
BHE输出
t
D（ BHE - ALE ）
t
D（ A- RD ）
A
0—
A
7
产量
A
8—
A
15
产量
A
16—
A
23
产量
t
D（ A- ALE ）
t
D（ CS- RD ）
CS
0—
CS
4
产量
t
D（ CS- ALE）
t
SU（ CS- DL / DH ）
t
SU（ A- DL / DH ）
D
0—
D
7
输入
D
8—
D
15
输入（字节=“ L”），
t
PXZ （ RD- DLZ ）
t
D（ LA- RD ）
LA
0—
LA
7
产量
(D
0
/ LA
0—
D
7
/ LA
7
)
（多路公交车
（注） ）
D
0—
D
7
输入
（多路公交车
（注） ）
t
SU（ DL / DH- RD ）
输入数据
芯片选择
地址
t
H（ RD- BHE ）
t
H（ RD -A ）
t
H（ RD- CS ）
t
H（ RD - DL / DH ）
t
PZX （ RD- DLZ ）
地址
t
D（ LA- ALE ）
t
H（ ALE -LA ）
t
SU（ LA- DL ）
数据
t
SU（ DL -RD ）
t
H（ RD- DL ）
t
SU（ PID -RD ）
皮口输入
输入数据
t
H（ RD- PID）
注意：
这些成为了多路公交车，只有当以下所有条件都满足：
字节= “ H”
多路复用总线选择位= “ 1 ”
虽然其对应的片选信号CS地址
4
访问
测试条件（除港皮， F（X
IN
))
V
CC
= 5 V±10 %
输出时序电压： V
OL
= 0.8 V, V
OH
= 2.0 V ，C
L
= 100 pF的
数据输入： V
IL
= 0.8 V, V
IH
= 2.5 V
测试条件（皮口， F（X
IN
))
V
CC
= 5 V±10 %
输入时序电压： V
IL
= 1.0 V, V
IH
= 4.0 V
输出时序电压： V
OL
= 0.8 V, V
OH
= 2.0 V ，C
L
= 100 pF的
103
