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PRE
离子。焊割。
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散热片
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T
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So
LIM
元
IN
三菱微型计算机
M37754M8C - XXXGP , M37754M8C , XXXHP
M37754S4CGP , M37754S4CHP
单芯片16位CMOS微机
(当3-
φ
在低速行驶访问<Write> )
t
瓦特(H)的
t
瓦特(L)的
F(X
IN
)
t
W( φL )
φ
1
t
W( φH )
t
d(φ
1
-WR )
t
d(φ
1
-WR )
t
r
t
f
t
c
RD
WR
t
W( WR )
t
W( ALE )
ALE输出
t
D( ALE - WR )
t
D( BHE - WR )
BHE输出
t
D( BHE - ALE )
t
D( A- WR )
A
0—
A
7
产量
A
8—
A
15
产量
A
16—
A
23
产量
t
D( A- ALE )
t
D( CS- WR )
CS
0—
CS
4
产量
t
D( CS- ALE)
芯片选择
地址
t
H( WR- BHE )
t
H( WR -A )
t
H( WR- CS )
t
D( WR - DLQ / DHQ )
D
0—
D
7
产量
D
8—
D
15
输出(字节=“ L”),
t
D( LA- WR )
D
0
/ LA
0—
D
7
/ LA
7
产量
(多路公交车
(注) )
t
D( LA- ALE )
地址
t
H( ALE -LA )
输出数据
t
PZX ( WR - DLZ / DHZ )
t
D( WR- DLQ )
数据
t
H( WR - DLQ / DHQ )
t
PXZ ( WR - DLZ / DHZ )
t
H( WR- DLQ )
t
D( WR- PIQ )
皮口输出
注意:
这些成为了多路公交车,只有当以下所有条件都满足:
字节= “ H”
多路复用总线选择位= “ 1 ”
虽然其对应的片选信号CS地址
4
访问
测试条件(除港皮, F(X
IN
))
V
CC
= 5 V±10 %
输出时序电压: V
OL
= 0.8 V, V
OH
= 2.0 V ,C
L
= 100 pF的
数据输入: V
IL
= 0.8 V, V
IH
= 2.5 V
测试条件(皮口, F(X
IN
))
V
CC
= 5 V±10 %
输入时序电压: V
IL
= 1.0 V, V
IH
= 4.0 V
输出时序电压: V
OL
= 0.8 V, V
OH
= 2.0 V ,C
L
= 100 pF的
95