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离子。焊割。
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散热片
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元
IMIN
L
三菱微型计算机
M37754M8C - XXXGP ， M37754M8C ， XXXHP
M37754S4CGP ， M37754S4CHP
单芯片16位CMOS微机
当内部存储区进行访问<NOTE>外部总线时序（ 2-
φ
址）在高速
运行
(V
CC
= 5 V±10 %, V
SS
= 0 V ，T
a
= -2085 ° C， F（X
IN
)
≤
40兆赫时，时钟源选择位= “ 0 ”
)
F（X
IN
）= 40兆赫
符号
参数
分钟。
马克斯。
t
w(
φ
H)
, t
w(
φ
L)
t
d(
φ
1–WR)
t
d(
φ
1–RD)
t
W（ WR ）
t
W（ RD ）
t
D（ A- WR ）
t
D（ A- RD ）
t
D（ A- ALE ）
t
D（ BHE - WR ）
t
D（ BHE -RD ）
t
D（ BHE - ALE ）
t
D（ CS- WR ）
t
D（ CS- RD ）
t
D（ CS- ALE）
t
D（ WR - DLQ / DHQ ）
__
__
总线时序
数据公式
1
×
10
9
F（X
IN
) – 20
单位
ns
ns
ns
φ
高电平脉冲宽度，
φ
低电平脉冲宽度
___
5
–7
–7
5
5
25
25
10
25
25
10
25
25
10
35
30
4
4
10
10
10
10
10
10
10
15
0
12
12
WR输出延迟时间
___
RD输出延迟时间
___
WR低电平脉冲宽度
___
RD低电平脉冲宽度
地址输出的延迟时间
地址输出的延迟时间
地址输出的延迟时间
____
1
×
10
9
F（X
IN
) – 20
1
×
10
9
F（X
IN
) – 20
2
×
10
9
F（X
IN
) – 25
2
×
10
9
F（X
IN
) – 25
2
×
10
9
F（X
IN
) – 40
2
×
10
9
F（X
IN
) – 25
2
×
10
9
F（X
IN
) – 25
2
×
10
9
F（X
IN
) – 40
2
×
10
9
– 25
F（X
IN
)
2
×
10
9
F（X
IN
) – 25
2
×
10
9
F（X
IN
) – 40
————
1
×
10
9
F（X
IN
) + 5
————
————
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 15
1
×
10
9
F（X
IN
) – 10
————
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BHE输出的延迟时间
____
BHE输出的延迟时间
____
BHE输出的延迟时间
片选输出延迟时间
片选输出延迟时间
片选输出延迟时间
数据输出的延迟时间
t
PXZ （ WR - DLZ / DHZ ）
浮启动延迟时间
t
D（ ALE - WR ）
t
D（ ALE -RD ）
t
W（ ALE ）
t
H（ WR -A ）
t
H（ RD -A ）
t
D（ WR- BHE ）
t
D（ RD- BHE ）
t
D（ WR- CS ）
t
D（ RD- CS ）
t
H（ WR - DLQ / DHQ ）
ALE输出延迟时间
ALE输出延迟时间
ALE脉冲宽度
地址保持时间
地址保持时间
____
BHE保持时间
____
BHE保持时间
芯片选择保持时间
芯片选择保持时间
数据保持时间
t
PZX （ WR - DLZ / DHZ ）
浮动解除延迟时间
： F（X
IN
)
≤
20兆赫时，时钟源选择位= “ 1 ” 。
： F（X
IN
)
=
20兆赫时，时钟源选择位= “ 1 ” 。
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