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MAIA-007495-000100
下变频器
一五〇〇年至2400年兆赫
电气规格：吨
A
= + 25 ° C，Z
0
= 50欧姆， RF = -10 dBm的
3
,
LO = +13 dBm时，我
DD
≈
45毫安
参数
转换增益
8,9
隔离
6
反向隔离
7
VSWR
牧师V1
测试条件
3
LNA + 3V
LNA + 5V
LO到RF IN
LO至IF
LNA + 3V
LO
在RF
IF
LNA + 3V
LNA + 5V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
比
比
比
DBM
DBM
民
3.1
4.6
29
19
30
—
—
—
13
21
典型值
6.0
8.0
32
23
40
1.4:1
1.9:1
1.9:1
17.5
25
最大
6.6
8.8
—
—
—
—
2.5:1
2.1:1
—
—
输入IP3
3,4,5
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
对于IP
3
测量， RFIN = -24 dBm时，这种低RF IN水平得到通过LNA放大。
对于IP
3
测量， RFIN2 = RFIN1 + 10 MHz时， LO = RFIN1-140兆赫。
对于IP
3
测量时， IP3 = IMR / 2 + PIN。
RF IN至IF隔离通常为0分贝。
反向隔离从IF到RFIN与IF测量在-10 dBm时， LO在+13 dBm的。
该放大器具有12.5分贝， 3V的偏置14.0分贝， 5V偏置正常收益。放大器的典型噪声系数为1.5分贝。
NF
T
NF -
1
+ （ NF2 - 1 ） / G1
绝对最大额定值
10,11
参数
RF输入功率
12
LO驱动功率
12
V
DD
当前
13
通道温度
14
工作温度
储存温度
绝对最大
+17 dBm的
+23 dBm的
10伏直流
80毫安
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
10.Exceeding这些界限的任意一种或组合可能导致
永久性损坏此设备。
11.M / A- COM不建议持续近操作
这些生存极限。
12.Total功率RF和LO端口应不超过+23 dBm的。
13.当引脚＃ 2是用来增加电流见上注8 。
14.Thermal电阻（ θJC ） = + 95 ° C / W 。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
