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STK10C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
g
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK10C68-25
民
最大
25
25
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
35
0
10
0
45
5
5
10
0
12
0
55
35
35
15
5
5
12
0
12
STK10C68-35
民
最大
35
45
45
20
5
5
12
STK10C68-45
民
最大
45
55
55
25
STK10C68-55
民
最大
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
参数
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
e
D，E
g
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
ELICCH
t
EHICCL
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。 NE必须在整个周期高。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
，W > V
IH
和NE
≥
V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
5
3
2
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
6
t
ELQX
1
1
1
2
t
EHICCL
7
t
EHQZ
G
8
t
GLQV
4
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
活跃
数据有效
I
CC
待机
2003年9月
3
文件控制＃ ML0006修订版0.1
