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电气特性
3.13.7
规格
1
2
1
2
eMIOS时间
表25. eMIOS时间
1
特征
eMIOS输入脉冲宽度
eMIOS输出脉冲宽度
符号
t
MIPW
t
MOPW
分钟。
4
1
2
马克斯。
—
—
单位
t
CYC
t
CYC
eMIOS时间规定为: V
DDEh
= 3.0-5.25 V和T
A
= T
L
给T
H
.
本规范不包括上升和下降时间。当计算最小eMIOS脉冲宽度,包括上升
和秋季在垫配置寄存器( PCR )的压摆率控制字段( SRC )定义的时间。
2
eMIOS
产量
eMIOS输入
1
图17. eMIOS时序
3.13.8
DSPI时序
表26. DSPI时序
1
’
2
80兆赫
112兆赫
分钟。
马克斯。
132兆赫
单位
分钟。
马克斯。
规格
特征
SCK周期时间
3, 4
PCS到SCK延迟
5
SCK延迟之后
6
SCK占空比
从存取时间
( SS主动到SOUT驱动)
奴隶SOUT禁用时间
( SS无效,以SOUT的Hi- Z或无效)
PCSx到光导开关时间
光导开关来PCSx时间
符号
分钟。
马克斯。
1
2
3
4
5
6
7
8
t
SCK
t
中信建投
t
ASC
t
SDC
t
A
t
DIS
t
PCSC
t
PASC
24.4纳秒
23
22
(t
SCK
÷
2)
= 2纳秒
2.9毫秒
—
—
(t
SCK
÷
2)
+ 2纳秒
17.5纳秒
15
14
2.1毫秒
—
—
14.8纳秒
13
12
1.8毫秒
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(t
SCK
÷
2) (t
SCK
÷
2) (t
SCK
÷
2) (t
SCK
÷
2)
= 2纳秒
+ 2纳秒
= 2纳秒
+ 2纳秒
—
—
4
5
25
25
—
—
—
—
4
5
25
25
—
—
—
—
4
5
25
25
—
—
MPC5565单片机数据手册,第2.0
飞思卡尔半导体公司
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