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VLMPG33N1P2/VLMYG33P1Q2
威世半导体
绝对最大额定值
1)
VLMPG33../VLMYG33..
参数
反向电压
2)
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/
环境
安装在PC板
（焊盘尺寸> 16毫米
2
)
测试条件
T
AMB
≤
73 °C
t
p
≤
10 s
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
价值
5
50
0.2
130
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
K / W
注意：
1)
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
2)
驱动LED反向适合短期应用
光学和电学特性
1)
VLMPG33 ..，纯绿
参数
发光强度
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
测试条件
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
部分
VLMPG33N1P2
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
TC
V
TC
I
5
-4
- 0.4
民
28
555
560
565
± 60
2
2.5
典型值
最大
71
565
单位
MCD
nm
nm
度
V
V
毫伏/ K
%/K
注意：
1)
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
光学和电学特性
1)
VLMYG33 .. ，黄绿色
参数
发光强度
光通量/光强
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50％的余
相对最大
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
注意：
1)
测试条件
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
部分
VLMYG33P1Q2
符号
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
V
R
T
CV
T
CI
民
45
典型值。
3
最大
112
577
单位
MCD
传销/ MCD
nm
nm
566
18
± 60
1.7
5
-4
- 0.04
2.0
2.5
nm
度
V
V
毫伏/ K
%/K
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
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2
文档编号81335
修订版1.2 ， 10月， 07
