无铅产品
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NCE0128D
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE0128D采用先进的沟槽技术和
设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
低栅极电荷。它
可以在各种各样的应用中使用。
一般特点
●
V
DS
= 100V ，我
D
=28A
R
DS （ ON）
< 26mΩ @ V
GS
= 10V （典型值： 13.3毫欧）
●
特殊工艺技术，高ESD能力
●
高密度电池设计超低导通电阻
●
充分界定雪崩电压和电流
●
良好的稳定性和均匀性与高鹗
AS
●
优秀的包装进行良好的散热
原理图
应用
●
●
●
电源开关的应用
硬开关和高频电路
不间断电源
标志和引脚分配
TO- 263-2L顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
NCE0128D
设备
NCE0128D
器件封装
TO-263-2L
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
-
绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
漏电流连续（T
C
=100℃)
漏电流脉冲
最大功率耗散
降额因子
单脉冲雪崩能量（注5 ）
工作结存储温度范围
E
AS
极限
100
±20
28
20
190
63
0.42
550
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
℃
I
D
I
D
(100℃)
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
无锡NCE功率半导体有限公司
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