NDF08N50Z ， NDP08N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 0.69
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
V
DSS
500 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 3.6
0.69
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
R
QJC
连续漏电流
R
QJC
T
A
= 100°C
脉冲漏极电流，
V
GS
@ 10 V
功耗
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩
能源，我
D
= 7.5 A
静电放电（ HBM）的
（ JESD 22 - A114 ）
RMS的隔离电压
性（t = 0.3秒， R.H。
≤
30%,
T
A
= 25℃） （图14）
峰值二极管恢复
连续源
电流（体二极管）
最高温度
焊接信息
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
NDF08N50Z
NDP08N50Z
单位
V
7.5
4.7
30
125
30
190
3500
A
A
A
W
V
mJ
V
V
500
7.5 （注1 ）
4.7 （注1 ）
30 （注1 ）
31
N沟道
D (2)
G (1)
TO220FP
CASE 221D
风格1
S (3)
记号
图
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
4.5
7.5
260
55
150
V / ns的
A
°C
°C
TO220AB
CASE 221A
风格5
NDF08N50ZG
or
NDP08N50ZG
AYWW
门
来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
SD
= 7.5 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
漏
A
Y
WW
G
=地点代码
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NDF08N50ZG
NDP08N50ZG
包
TO220FP
TO220AB
航运
50单位/铁
在发展
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年4月
第1版
1
出版订单号：
NDF08N50Z/D
