NDF05N50Z ， NDP05N50Z ，
NDD05N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 1.25
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
100％的雪崩测试
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
（ TYP ） @ 2.2
1.25
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
QJC
连续漏电流
R
QJC
, T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@
10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，
I
D
= 5.0 A
ESD （ HBM ） （ JESD22 - A114 ）
RMS的隔离电压（ T =
0.3秒， R.H。
≤
30%, T
A
=
25℃） （图15）
峰值二极管恢复
连续源电流
（体二极管）
最高温度
焊接引线， 0.063 “
（ 1.6毫米） ，从案例10秒
包主体10秒
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
4500
5
（注1 ）
3.2
（注1 ）
20
（注1 ）
28
NDF
NDP
500
5
3.2
20
96
±30
130
3000
4.7
3
19
83
NDD
单位
V
A
A
G (1)
A
W
V
mJ
V
V
4
4
1
1
1
1 2
N沟道
D (2)
S (3)
dv / dt的
I
S
T
L
T
PKG
4.5 （注2）
5
300
260
V / ns的
A
°C
2
2
3
2
3
3
3
DPAK
TO- 220FP TO- 220AB
IPAK
CASE 221D CASE 221A CASE 369D CASE 369AA
方式2
风格1
风格5
方式2
T
J
, T
英镑
55
150
°C
标记和订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
S
= 4.4 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年12月，
第0版
1
出版订单号：
NDF05N50Z/D
